科技日報駐韓國記者 薛嚴(yán)

據(jù)韓國半導(dǎo)體業(yè)界近日透露，三星電子正在改進(jìn)12納米級動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）“D1b”的設(shè)計。

三星電子于2023年首次量產(chǎn)“D1b”，應(yīng)用于顯卡DRAM和手機(jī)DRAM上。此次改變已生產(chǎn)一年多的DRAM設(shè)計是半導(dǎo)體行業(yè)中罕見的案例。

專業(yè)人士表示，改變設(shè)計并不是一個容易的決定，制造工藝產(chǎn)生變化后，會提高成本，此舉意味著公司有改進(jìn)工藝和產(chǎn)品的緊迫意識。

三星電子已經(jīng)在根據(jù)新的“D1b”設(shè)計修改生產(chǎn)工藝，于2024年底下達(dá)了緊急設(shè)備訂單，升級了現(xiàn)有生產(chǎn)線，并進(jìn)行了技術(shù)轉(zhuǎn)移。考慮到設(shè)備建設(shè)和試運行的進(jìn)度，新款“D1b”將于年內(nèi)量產(chǎn)，預(yù)計最快第二季度或第三季度發(fā)布。

除改變“D1b”設(shè)計外，三星電子還啟動了名為“D1b-p”的新開發(fā)項目，以增強(qiáng)DRAM競爭力。“D1b-p”的特點是注重提高電源效率和發(fā)熱，使用了英文單詞“prime”中的首字母p，旨在強(qiáng)調(diào)產(chǎn)品“更為優(yōu)秀”。

三星電子正面臨著競爭對手的強(qiáng)勁挑戰(zhàn)。韓國SK海力士和美國美光都已將“D1b”產(chǎn)品商業(yè)化，并在更適應(yīng)人工智能時代的高帶寬內(nèi)存上進(jìn)行應(yīng)用。SK海力士2024年完成了下一代DRAM“D1c”的開發(fā)。與競爭對手相比，三星電子目前的“D1b”產(chǎn)品無論在性能還是良品率上都處于相對劣勢，不得不實施改變半導(dǎo)體設(shè)計等特殊措施，以填補(bǔ)缺口，增強(qiáng)競爭力。